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SanDisk 周三推出了一款道理道理的新内存，它不错将 3D NAND 的容量与高带宽内存 (HBM) 终了的超高带宽勾通在一皆。SanDisk 的高带宽闪存 (HBF) 内存不错并行造访多个高容量 3D NAND 阵列，从而提供裕如的带宽和容量。该公司将 HBF 定位为需要高带宽和容量以及低功耗条件的 AI 推理当用的惩处决策。第一代 HBF 不错在 GPU 上终了高达 4TB 的 VRAM 容量，异日版块将提供更多容量。SanDisk 还瞻望这项时候将应用于手机和其他类型的树立。该公司尚未告示发布日历。
SanDisk 内存时候支配 Alper Ilkbahar 默示：“咱们称之为 HBF 时候，用于增强 HBM 内存以支吾 AI 推理责任负载。咱们将匹配 HBM 内存的带宽，同期以雷同的资本提供 8 到 16 倍的容量。”
从倡导上讲，HBF 与 HBM 雷同。它将多个高容量、高性能闪存中枢芯片堆叠在一皆，这些芯片使用硅通孔 (TSV) 相互勾通，位于逻辑芯片之上，不错并行造访闪存阵列（或者说闪存子阵列）。HBF 的底层架构是 SanDisk 的 BICS 3D NAND，聘用 CMOS 平直键合到阵列 (CBA) 野心，将 3D NAND 内存阵列键合在使用逻辑工艺时候制造的 I/O 芯片之上。该逻辑可能是终了 HBF 的要害。
“咱们向工程师们提议挑战，问他们，愚弄这种膨胀才智，你还能作念什么？”Alper Ilkbahar 说谈。“他们给出的谜底是……转向一种架构，将这个广泛的阵列分散为很多阵列，迪士尼彩乐园最新版本并并行造访每个阵列。当你这么作念时，你会赢得大都带宽。当今，咱们不错用它构建什么？咱们将构建高带宽闪存。”
传统的 NAND 芯片野心通常将中枢 NAND 闪存阵列视为平面、页面和块。块是最小的可擦除区域，而页面是最小的可写区域。HBF 似乎将芯片分红“很多阵列”，以便不错同期造访它们。每个子阵列（具有我方的页面和块）简略都有我方的专用读/写旅途。诚然这雷同于多平面 NAND 树立的责任道理，但 HBF 倡导似乎远远超出了它们。
目下，SanDisk 默示其第一代 HBF 将使用 16 个 HBF 中枢芯片。为了终了这么的树立，SanDisk 默示它发明了一种私有的堆叠时候，该时候的特色是翘曲最小，不错堆叠 16 个 HBF 中枢芯片，以及一个不错同期造访来自多个 HBF 中枢芯片的数据的逻辑芯片。能够处理数百或数千个并发数据流的逻辑的复杂性应该高于典型的 SSD 搁置器。
可怜的是，SanDisk 并未显露其 HBF 家具的本体性能数据，因此咱们只可臆想 HBF 的每堆栈性能是否能与原始 HBM（~128 GB/s）或全新 HBM3E（在 Nvidia 的 B200 中可提供每堆栈 1 TB/s）相匹配。
https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/sandisks-new-hbf-memory-enables-up-to-4tb-of-vram-on-gpus-matches-hbm-bandwidth-at-higher-capacity
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