早在一月份咱们就报谈过 AMD 在台积电的 3 nm 级节点上研究其下一代 \"Zen 6 \"CCD，并建立新系列的就业器和客户端 I/O 芯片（cIOD 和 sIOD）。 I/O 芯片是计较机管制器至关紧迫的构成部分，它包含管制器的整个非中枢组件，包括内存摈弃器、PCIe 根复合体以及与 CCD 和多插槽衔接的 Infinity Fabric 互连。
那时有报谈称，这些新一代 I/O 芯片是在 4 纳米硅制造工艺上研究的，这被证据为 AMD 最可爱的 4 纳米级节点，即台积电 N4P，该公司从面前的 \"Strix Point \"出动管制器到 \"Zen 5 \"CCD，齐是在这一节点上制造的。
这个节点很可能是的 4LPP，也被称为 SF4，它从 2022 年启动量产。 下表清晰了 SF4 与台积电 N4P 和英特尔 4 的比较，其中清晰 SF4 在两者之间获取了均衡。
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表中还增多了 N4P 所选拔的台积电 N5 节点的数值，不错看出 SF4 的晶体管密度与 N5 颠倒，与 AMD 面前一代 sIOD 和 cIOD 所选拔的台积电 N6 比拟，晶体管密度有了显耀提升。 新的 4 纳米节点将允许 AMD 裁汰 I/O 芯片的 TDP，践诺新的电源管证据决决策，更紧迫的是，需要更新内存摈弃器，以撑执更高的 DDR5 速率和兼容新式 DIMM（如 CUDIMM、带 RCD 的 RDIMM 等），这亦然需要新的 I/O 芯片的原因。